F1070中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
F1070 |
功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? |
文件大小 |
38.23 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Polyfet RF Devices |
企業(yè)簡稱 |
Polyfet |
中文名稱 | Polyfet RF Devices官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-28 13:25:00 |
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General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
200Watts Gemini
Package Style AH
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
產(chǎn)品屬性
- 型號:
F1070
- 制造商:
POLYFET
- 制造商全稱:
Polyfet RF Devices
- 功能描述:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
POLYFET |
24+ |
300 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | |||
南京國博 |
25+ |
DFN2X2-8L |
5820 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 | ||
NS |
23+ |
TSSOP20 |
3600 |
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詢價 | ||
N/A |
21+ |
7540 |
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詢價 | |||
TI/TEXAS |
23+ |
PLCC-44 |
8931 |
詢價 | |||
NS |
23+ |
TSSOP20 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
NS |
24+ |
TSSOP20 |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 | ||
南京國博 |
24+ |
DFN2X2- |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
THOMAS&BETTS |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
24+ |
N/A |
58000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 |