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F1070中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

F1070
廠商型號

F1070

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

文件大小

38.23 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-28 13:25:00

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F1070規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

200Watts Gemini

Package Style AH

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    F1070

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
POLYFET
24+
300
現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價
南京國博
25+
DFN2X2-8L
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TI/TEXAS
23+
PLCC-44
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TSSOP20
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TSSOP20
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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南京國博
24+
DFN2X2-
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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