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FAE35SN06

Marking：35SN06；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION DS(ON) TheFAE35SN06usesSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRwithlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES ?HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) ?Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent ?Goodstabilityand

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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更多FAE35SN06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 16:30:00

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