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IRF422

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF422

N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF422

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF422

2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF422

N-ChannelPowerMOSFETs

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRFR422

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFU422

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IS422

OPTICALLYCOUPLEDBILATERALSWITCHLIGHTACTIVATEDZEROVOLTAGECROSSINGTRIAC

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商

ISCNL422N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·DC/DCConverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISO422

DIFFERENTIALBUSTRANSCEIVER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
SITI
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原裝正品公司現(xiàn)貨,實(shí)單來(lái)談
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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PANASONIC/松下
2021
DIP
2200
原裝現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
更多FD422D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 11:10:00