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FDC6000NZ中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDC6000NZ
廠商型號

FDC6000NZ
功能描述

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
文件大小

174.69 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-20 13:26:00
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FDC6000NZ規(guī)格書詳情

General Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchilds Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Packaged in FLMP SSOT-6, the RDS(ON) and thermal properties of the device are optimized for battery power management applications.

Features

? 6.5 A, 20 V RDS(ON) = 20 m? @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 28 m? @ VGS = 2.5 V

? ESD protection diode (note 3)

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal performance in industry-standard package size

Applications

? Battery management/Charger Application

? Load switch

產品屬性

  • 型號：

    FDC6000NZ

  • 功能描述：

    MOSFET Dual N-Channel 2.5V Spec PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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