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FDD3672

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=28mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD3672

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD3672

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m?

Features ?rDS(ON)=24m?(Typ.),VGS=10V,ID=44A ?Qg(tot)=24nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQrrBodyDiode ?Optimizedefficiencyathighfrequencies ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/D

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD3672

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

FDD3672_08

P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -14A, 64m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD3672_11

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMS3672

N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET100V,22A,23mohm

GeneralDescription UItraFETdevicescombinecharacteristicsthatenablebenchmarkefficiencyinpowerconversionapplications.OptimizedforrDS(on),lowESR,lowtotalandMillergatecharge,thesedevicesareidealforhighfrequencyDCtoDCconverters. Features ■MaxrDS(on)=23m?atVGS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP3672

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP3672

N-ChannelPowerTrenchMOSFET105V,41A,33m?

Features ?rDS(ON)=25m?(Typ.),VGS=10V,ID=41A ?Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?Optimizedefficiencyathighfrequencies ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS3672

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,7.5A,22m?

Features ?rDS(ON)=19m?(Typ.),VGS=10V,ID=7.5A ?Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?Optimizedefficiencyathighfrequencies ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distributed

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FDD3672

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多FDD3672供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 8:26:00

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