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FDD6670A中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDD6670A
廠商型號

FDD6670A

功能描述

30V N-Channel MOSFET

絲印標識

FDD6670

封裝外殼

TO-252

文件大小

458.59 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導體

中文名稱

廣東友臺半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-25 22:59:00

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FDD6670A規(guī)格書詳情

Features

· RDS(ON )= 8 mW( VGS = 10 V)

· RDS(ON) = 10 mW( VGS = 4.5 V)

· Low gate charge

· Fast Switching

· High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

· VDS (V) = -30V

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDD6670A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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