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FDD86113LZ中文資料百域芯數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

FDD86113LZ
廠商型號

FDD86113LZ

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.74335 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-5-25 11:16:00

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FDD86113LZ規(guī)格書詳情

Features

? VDS= 100V, ID= 18.1 A

RDS(ON) < 57 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 70 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產品屬性

  • 型號:

    FDD86113LZ

  • 功能描述:

    MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
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FAIRCHI
21+
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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24+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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