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FDD8882

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDD8882

N-Channel PowerTrench? MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD8882

N-Channel PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD8882_08

N-Channel PowerTrench? MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

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FDD8882_NL

N-Channel PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDMC8882

N-ChannelPowerTrench?MOSFET30V,16A,14.3m

FairchildFairchild Semiconductor

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FDS8882

N-ChannelPowerTrench?MOSFET30V,9A,20.0m廓

GeneralDescription TheFDS8882hasbeendesignedtominimizelossesinpowerconversionapplication.AdvancementsinbothsiliconandpackagetechnologieshavebeencombinedtoofferthelowestrDS(on)whilemaintainingexcellentswitchingperformance. Features ?MaxrDS(on)=20.0m?at

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDU8882

N-ChannelPowerTrench?MOSFET

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FDU8882

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

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FDU8882_NL

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

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詳細參數

  • 型號：

    FDD8882

  • 功能描述：

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FDD8882供應商 更新時間2025-5-21 15:40:00

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