FDFMA2P029Z-F106中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	FDFMA2P029Z-F106
功能描述	P-Channel MOSFET
絲印標識	P29
封裝外殼	WDFN6
文件大小	259.5 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-6 22:58:00
人工找貨	FDFMA2P029Z-F106價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

MOSFET

? Max rDS(on) = 95 m at VGS = –4.5 V, ID = –3.1 A

? Max rDS(on) = 141 m at VGS = –2.5 V, ID = –2.5 A

? HBM ESD Protection Level > 2.5 kV (Note 1)

Schottky

? VF < 0.37 V @ 500 mA

? Low Profile ? 0.8 mm Maximum ? In the New Package MicroFET

2x2 mm

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

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