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FDG6301N_NSC/美國國家半導體_MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive正納電子一部
- 詳細信息
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產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDG6301N
- 功能描述:
MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市正納電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊先生/楊小姐
- 手機:
15986777949
- 詢價:
- 電話:
0755-23901175
- 傳真:
0755-83200684
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318
相近型號
- FDG6222C
- FDG602P-NL
- FDG6301N-F085
- FDG6301N-F085P
- FDG602P
- FD-G500
- FDG6301NIC
- FDG410NZ-VB
- FDG410NZ-NL
- FDG6301N-NL
- FDG410NZ
- FD-G4
- FDG6301N-VB
- FDG361N-NL
- FDG361N
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- FDG332PZ
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- FDG332P-NL
- FDG6303N
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- FDG331N
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