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PT6308

InternalShortCircuitProtection

TI1Texas Instruments

德州儀器

PT6308

3AMPHIGH-PERFORMANCEADJUSTABLEISR

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    FDG6308

  • 功能描述:

    MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FDG6308供應(yīng)商 更新時間2025-4-10 16:35:00