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FDPF041N06BL1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=77A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.1mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDPF041N06BL1-F154

Marking：FDPF041N06BL1；Package：TO-220F；MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH 60 V, 77 A, 4.1 m

Description ThisN?ChannelMOSFETisproducedusingONSemiconductor’s advancedPOWERTRENCHprocessthathasbeentailoredto minimizetheon?stateresistancewhilemaintainingsuperiorswitching performance. Features ?RDS(on)=3.5m(Typ.)@VGS=10V,ID=77A ?LowFOMRDS(on)*QG

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多FDPF041N06BL1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-19 10:02:00

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