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FDS2670中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS2670
廠商型號

FDS2670

功能描述

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

339.53 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-30 12:25:00

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FDS2670規(guī)格書詳情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.

Features

? 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 130 m? @ VGS = 10 V

? Low gate charge

? Fast switching speed

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS2670

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 N-CH 200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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