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FDS8958B

DualN&P-ChannelPowerTrench?MOSFETQ1-N-Channel:30V,6.4A,26m廓Q2-P-Channel:-30V,-4.5A,51m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

KDS8958

DualN&P-ChannelPowerTrenchMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

L8958

Highoutputpower:1.5mW,pigtailtype

Laserdiode Highoutputpower:1.5mW,pigtailtype Features ●Highoutputpower:1.5mW ●High-speedresponse:1.25GbpsMax. ●1.3μmFP(Fabry-perot)laser Applications ●Opticalfibercommunications

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學株式會社

NDS8958

DualN&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription ThesedualN-andP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperfo

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

QPB8958

75Ω34dBCATVAmplifier50-1003MHz

KeyFeatures ■HighGain:34dB@1003MHz ■AdjustableBias ■50-1003MHzBW ■46dBmV/chflattilt ■LowNoise:4.5dB ■ExcellentCompositeDistortion ■pHEMT/MESFETdevicetechnologies ■CompactSize:40P5x7QFN ■PowerConsumption(24V,260mA–5.8W)

QORVO

Qorvo, Inc

QPB8958EVB

75Ω34dBCATVAmplifier50-1003MHz

KeyFeatures ■HighGain:34dB@1003MHz ■AdjustableBias ■50-1003MHzBW ■46dBmV/chflattilt ■LowNoise:4.5dB ■ExcellentCompositeDistortion ■pHEMT/MESFETdevicetechnologies ■CompactSize:40P5x7QFN ■PowerConsumption(24V,260mA–5.8W)

QORVO

Qorvo, Inc

QPB8958SB

75Ω34dBCATVAmplifier50-1003MHz

KeyFeatures ■HighGain:34dB@1003MHz ■AdjustableBias ■50-1003MHzBW ■46dBmV/chflattilt ■LowNoise:4.5dB ■ExcellentCompositeDistortion ■pHEMT/MESFETdevicetechnologies ■CompactSize:40P5x7QFN ■PowerConsumption(24V,260mA–5.8W)

QORVO

Qorvo, Inc

QPB8958SR

75Ω34dBCATVAmplifier50-1003MHz

KeyFeatures ■HighGain:34dB@1003MHz ■AdjustableBias ■50-1003MHzBW ■46dBmV/chflattilt ■LowNoise:4.5dB ■ExcellentCompositeDistortion ■pHEMT/MESFETdevicetechnologies ■CompactSize:40P5x7QFN ■PowerConsumption(24V,260mA–5.8W)

QORVO

Qorvo, Inc

SDM8958

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SM8958

8-bitMicro-controllerwith32KFlashembedded

8-BitMicro-controllerwith32KBflashembedded

SyncMosSyncMOS Technologies,Inc

新茂新茂國際科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FDS8958A_Q

  • 功能描述：

    MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FSC
22+
NA
5000
全新原裝品牌專營
 詢價
Fairchild
23+
SOP8
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
ON Semiconductor
2010+
N/A
23
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ON(安森美)
2447
8-SOIC
115000
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ON
1809+
SOP-8
3675
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23+
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ON
23+
SOP8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多FDS8958A_Q供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 14:50:00

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