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FEF4065	文件：237.79 Kbytes Page：29 Pages	High Voltage Subscriber Line IC HV-SLIC	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
FFSH4065A	文件：429.75 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FFSH4065BDN	文件：254.89 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,40A,650V,D2,TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FG4065	文件：86.55 Kbytes Page：2 Pages	FiberglassOmnidirectionalWirelessAntennas	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
HM4065	文件：1.19519 Mbytes Page：12 Pages	5Amulti-typebatterychargingmanagementintegratedcircuit	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM4065B	文件：509.29 Kbytes Page：11 Pages	4AMulti-TypeBatteryChargeManagementIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
IRGB4065PBF	文件：785.49 Kbytes Page：9 Pages	PDPTRENCHIGBT Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.ThisdeviceutilizesadvancedtrenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSE?ratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemperatu	IRF International Rectifier	IRF
IRGI4065PBF	文件：321.66 Kbytes Page：7 Pages	PDPTRENCHIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4065DPBF	文件：344.59 Kbytes Page：7 Pages	PDPTRENCHIGBT Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.ThisdeviceutilizesadvancedtrenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSETMratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemperatu	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4065PBF	文件：317.08 Kbytes Page：7 Pages	PDPTRENCHIGBT Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.Thisdeviceutilizesadvanced trenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSETMratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemp	IRF International Rectifier	IRF

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