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FF1MR12KM1H分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

FF1MR12KM1H
廠商型號

FF1MR12KM1H

參數(shù)屬性

FF1MR12KM1H 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MEDIUM POWER 62MM

功能描述

62 mm C-Series module with CoolSiC? Trench MOSFET
MEDIUM POWER 62MM

文件大小

721.69 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-15 12:19:00

FF1MR12KM1H規(guī)格書詳情

FF1MR12KM1H屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF1MR12KM1H晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

Features

? Electrical features

- VDSS = 1200 V

- IDN = 560 A / IDRM = 1120 A

- High current density

- Low switching losses

? Mechanical features

- 4 kV AC 1 min insulation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FF1MR12KM1H

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MEDIUM POWER 62MM

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