首頁(yè)>FGA15N120ANTDTU_F109>規(guī)格書(shū)詳情

FGA15N120ANTDTU_F109分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FGA15N120ANTDTU_F109
廠商型號(hào)

FGA15N120ANTDTU_F109

參數(shù)屬性

FGA15N120ANTDTU_F109 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P

功能描述

Extremely enhanced avalanche capability

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

938.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡(jiǎn)稱

etc2etc未分類制造商

中文名稱

etc2未分類制造商

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-14 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGA15N120ANTDTU-F109

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    3mJ(開(kāi)),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    15ns/160ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 186W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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TO3P
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