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FGB30N6S2DT_FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series華斯頓科技

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  • 廠家型號(hào)：

    FGB30N6S2DT

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    FAIRCHILD

  • 庫存數(shù)量：

    24055

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-20 16:49:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FGB30N6S2DT品牌：FAIRCHILD

絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    FGB30N6S2DT

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    287.27 kb

  • 資料說明：

    600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FGB30N6S2DT

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機(jī)：

    13925279453

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真：

    0755-83355559

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強(qiáng)北新亞洲電子市場3B047展銷柜

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