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FTD1029

P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice

Features ?LowON-resistance. ?4Vdrive. ?Mountingheight1.1mm. ?Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

GCK1029

ELECTRICAL&MECHANICALSPECIFICATION

FEATURES Graycoded,standardandcomplimentaryversions PCBTerminals +extrastabilisingterminals Standard22.5°indexing4-Bit Standard45°indexing3-Bit Adjustablestopstorestrictnumberofpositions Standardsilvercontacts,goldflashed Moulded27.5mmdiameter Spindl

LORLIN

Lorlin Electronics Ltd.

HAT1029R

SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

HMC1029

GaAspHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HST-1029D

nullSafetyswitch,doublethrow,nonfusible,60A,600VAC/VDC,4poles,60hp,NEMA1

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

ISF1029

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=300mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·CurrentRegulators ·SolidStateCircuitBreakers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LA-1029S

LA-1029S

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

LT1029

5VBandgapReference

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1029

5VBandgapReference

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1029A

5VBandgapReference

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

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更多FMCR1029供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 16:35:00

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