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FQH140N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQH140N10

100VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IXFH140N10P

PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFT140N10P

PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ140N10P

PolarHT??PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ140N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTT140N10P

PolarHT??PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

MCP140N10Y

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

RU140N10R

N-ChannelAdvancedPowerMOSFET

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司

RU140N10R

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FQA140N10IC供應(yīng)商 更新時間2025-2-7 9:00:00

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