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FQB2N80中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQB2N80
廠商型號(hào)

FQB2N80

功能描述

800V N-Channel MOSFET

文件大小

659.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-14 17:23:00

FQB2N80規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

Features

? 2.4A, 800V, RDS(on) = 6.3? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 12 nC)

? Low Crss ( typical 5.5 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQB2N80

  • 功能描述:

    MOSFET 800V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
21+
TO-263
100
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
FSC
23+
NA
1386
專做原裝正品,假一罰百!
詢價(jià)
ON
23+
TO-263
295
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
TO-263
8866
詢價(jià)
ON
1932+
TO-263
295
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
D2-PAKTO-263
18000
原裝正品
詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
FAIRC
24+
TO-263
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
詢價(jià)
FAIRC
2023+
TO-263(D2PAK
50000
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)