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FQB4N80TM中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQB4N80TM
廠商型號

FQB4N80TM
功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓
文件大小

801.37 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 15:08:00
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FQB4N80TM規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 3.9 A, 800 V, RDS(on) = 3.6 ? (Max.) @VGS = 10 V, ID = 1.95 A

? Low Gate Charge (Typ. 19 nC)

? Low Crss (Typ. 8.6 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FQB4N80TM

  • 功能描述：

    MOSFET 800V N-Channel QFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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