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FQD10N20CTM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD10N20CTM
廠商型號

FQD10N20CTM

功能描述

N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

文件大小

1.28335 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 10:23:00

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FQD10N20CTM規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

Features

? 7.8 A,200 V, RDS(on) = 360 m? (Max.)@ VGS = 10 V, ID= 3.9 A

? Low Gate Charge (Typ. 20 nC)

? Low Crss (Typ. 40.5pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD10N20CTM

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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