首頁>FQD13N06TM>規(guī)格書詳情

FQD13N06TM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD13N06TM
廠商型號

FQD13N06TM

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 60 V, 10 A, 140 m廓

文件大小

803.8 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-16 20:24:00

人工找貨

FQD13N06TM價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

FQD13N06TM規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 10 A, 60 V, RDS(on) = 140 m? (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.0 A

? Low Gate Charge (Typ. 5.8 nC)

? Low Crss (Typ. 15 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD13N06TM

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Ch QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO-252
27450
十五年行業(yè)誠信經(jīng)營,專注全新正品
詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
2500
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
FAIRCHILD
22+23+
TO252
37092
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
FAIRCHILD/仙童
12+
TO-252
975
深圳原裝進(jìn)口無鉛現(xiàn)貨
詢價
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價
FAIRCILD
22+
TO-252
8000
原裝正品支持實單
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
TO252
31366
原裝正品現(xiàn)貨
詢價