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FQD2N80I中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD2N80I
廠商型號

FQD2N80I

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

348.18 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 14:50:00

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FQD2N80I規(guī)格書詳情

·FEATURES

· Drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤ 6.3Ω@10V

·Fast Switching Speed

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·DESCRITION

·High fast switching Power Supply

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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