FQP4N90C中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
FQP4N90C規(guī)格書詳情
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.
Features
? 4A, 900V, RDS(on) = 4.2? @VGS = 10 V
? Low gate charge ( typical 17nC)
? Low Crss ( typical 5.6 pF)
? Fast switching
? 100 avalanche tested
? Improved dv/dt capability
產(chǎn)品屬性
- 型號：
FQP4N90C
- 功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2019 |
TO-220 |
19700 |
INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì) |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO-220 |
5000 |
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詢價 | ||
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21+ |
TO-220 |
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詢價 | ||
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TO-220 |
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TO-220 |
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ON |
TO-220 |
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