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FQPF12N65C

Marking：H12N65F；Package：TO-220FP；N-Channel MOSFET

■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67?(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe

HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.

浩海電子深圳市浩海電子有限公司

FTK12N65DD

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65DD

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65F

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65F

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65F-F

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65P

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65P

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK12N65PD

12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

H12N65

N-ChannelPowerMOSFET(650V,12A)

Features ?H12N65SeriesisaHighvoltageNChannelenhancementmodepowerMOSFETchipfabricatedinadvancedsiliconepitaxialplanartechnology ?Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltageblockingcapability ?AvalancheEnergySpecified ?SourcetoDrainDiodeRecoveryTimeComp

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

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更多FQPF12N65C供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 14:51:00

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