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FS25R12W1T4分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
FS25R12W1T4 |
參數屬性 | FS25R12W1T4 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MOD 1200V 45A 205W |
功能描述 | EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
444.29 Kbytes |
頁面數量 |
9 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-5-29 19:00:00 |
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FS25R12W1T4規(guī)格書詳情
FS25R12W1T4屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的FS25R12W1T4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產品屬性
更多- 產品編號:
FS25R12W1T4BOMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.25V @ 15V,25A
- 輸入:
標準
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MOD 1200V 45A 205W
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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