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FS400R07A3E3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FS400R07A3E3
廠商型號

FS400R07A3E3

參數(shù)屬性

FS400R07A3E3 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 650V 400A

功能描述

HybridPACK? DC6 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and NTC
IGBT MODULE 650V 400A

封裝外殼

模塊

文件大小

796.97 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-12 22:50:00

FS400R07A3E3規(guī)格書詳情

FS400R07A3E3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS400R07A3E3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

Features

? Electrical features

- VCES = 700 V

- IC nom = 400 A / ICRM = 800 A

- Increased blocking voltage capability to 705 V

- VCE,sat with positive temperature coefficient

- Low VCE,sat

- Low switching losses

- Low inductive design

- Tvj,op = 150°C

- Short-time extended operation temperature Tvj,op = 175°C

? Mechanical features

- 2.5 kV AC 1 minute insulation

- Al2O3 substrate with low thermal resistance

- Integrated NTC temperature sensor

- High mechanical robustness

- RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FS400R07A3E3H6BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    HybridPACK?

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    三相反相器

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MODULE 650V 400A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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