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FU3518

THINKI 30A,80V N-Channel Enchancement Mode Planar High Density MOSFETs

Features ■RDS(on)(Max29mΩ) ■GateCharge(Typical37nC) ■Improveddv/dtCapability ■Highruggedness ■100AvalancheTested ■RohsCompliable ■HalogenFreeavailable GeneralDescription TheTO-252/TO-251pkgarewellsuitedforpowerconversion suchasDCtoDC,inverter,amplifi

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

HI3518E

Hi3518E720pIP-CamSOC

HiSiliconHiSilicon(Shanghai) Technologies CO.,LIMITED

海思半導(dǎo)體海思半導(dǎo)體有限公司

IIRFR3518

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR3518

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR3518

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR3518

HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3518PbF

HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3518PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR3518PBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFR3518PBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

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更多FU3518供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 13:52:00

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