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FZ825R33HE4D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FZ825R33HE4D
廠商型號

FZ825R33HE4D
參數(shù)屬性

FZ825R33HE4D 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
功能描述

IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
封裝外殼

模塊
文件大小

887.56 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-12 16:18:00

FZ825R33HE4D規(guī)格書詳情

FZ825R33HE4D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FZ825R33HE4D晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FZ825R33HE4DBPSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    IHM-B

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    單開關

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.65V @ 15V，825A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    AG-IHVB130-3

  • 描述：

    HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES

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