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HJ649A

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHJ649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

HMC649

GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC649

GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HS649A

PNPSILICONTRANSISTOR

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司

HSB649A

SILICONPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithHSD669A. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) ?MaximumTemperatures StorageTemperature............................................................................................-55~+150°C JunctionTempera

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

HSB649T

SILICONPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Lowfrequencypoweramplifier.

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

J649

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ649isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?Lowon-stateresistance: RDS(on)1=48m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=75m?MAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) ?Lowinpu

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

MA649

Siliconplanertype(cathodecommon)

Siliconplanertype(cathodecommon) Forswitching ■Features ●HighreversevoltageVR ●LowforwardvoltageVF ●Fastreverserecoverytimetrr

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MAX649

5V/3.3V/3VorAdjustable,High-Efficiency,

GeneralDescription TheMAX649/MAX651/MAX652BiCMOS,step-downDC-DCswitchingcontrollersprovidehighefficiencyoverthreedecadesofloadcurrent.Aunique,current-limitedpulse-frequency-modulated(PFM)controlschemegivesthesedevicesthebenefitsofpulse-width-modulation(PWM)converte

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX649

providesaregulated5Voutputvoltagefroma5.5Vto16.5VsourceEvaluationKit

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FZT649TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    240MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 3A SOT223-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Diodes Incorporated
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TO-261-4,TO-261AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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DIODES(美臺)
24+
SOT-223
10613
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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DIODES/美臺
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SOT-223
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DIODES
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SOT-223
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DIODES/美臺
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SOT-223
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SOT-223
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更多FZT649TC供應(yīng)商 更新時間2025-5-3 14:14:00