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G130N06S2中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

G130N06S2
廠(chǎng)商型號(hào)

G130N06S2

功能描述

DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G130N06D

封裝外殼

SOP-8Dual

文件大小

938.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 9:06:00

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G130N06S2規(guī)格書(shū)詳情

Description

The G130N06S2 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
24+
N/A
64000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠(chǎng)技術(shù)支持!!!
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DIODES原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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SSOP-8
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優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
詢(xún)價(jià)

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