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G18NP06Y中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G18NP06Y
廠商型號

G18NP06Y

功能描述

N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G18NP06

封裝外殼

TO-252-4Dual

文件大小

1.37711 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-23 20:00:00

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G18NP06Y規(guī)格書詳情

Description

The G18NP06Y uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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