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GSMBRTL20120

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·Multi-layerMetal-SiliconPotentialStructure ·LowLeakageCurrent ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·HighJunctionTemperatureCapability

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多G20120CTW供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 14:13:00