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JCS20N20CT-O-C-N-B

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

JCS20N20FT-O-F-N-B

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

MTB20N20E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB20N20E

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTS

TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhigh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB20N20E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTP20N20

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP20N20E

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

SSFP20N20

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

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GOFORD
2022+
TO-251252
50000
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進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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2022+
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更多G20N20供應商 更新時間2025-4-4 14:01:00

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