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G30E3M

G-Series Power Receptacle Connector: Male, front mount with flange, 4-pin (3PE; PE at cable outlet), grey body; 230 V AC/DC, 10 A

ProductDescription G-SeriesPowerReceptacleConnector:Male,frontmountwithflange,4-pin(3+PE;PEatcableoutlet),greybody;230VAC/DC,10A

BELDENBelden Inc.

百通電纜設計科技有限公司

G30E3MBLACK

G-Series Power Receptacle Connector: Male, front mount with flange, 4-pin (3PE; PE at cable outlet), black body; 230 V AC/DC, 10 A

ProductDescription G-SeriesPowerReceptacleConnector:Male,frontmountwithflange,4-pin(3+PE;PEatcableoutlet),blackbody;230VAC/DC,10A

BELDENBelden Inc.

百通電纜設計科技有限公司

G30H603

High speed switching series third generation

TRENCHSTOPtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

G30N02K

Marking：G30N02；Package：TO-252；Power switching application

Description TheG30N02usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application Powerswitchingapplication Loadswitching LEDpowersupply

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G30N02T

Marking：G30N02；Package：TO-220；Power switching application

Description TheG30N02usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application Powerswitchingapplication Loadswitching LEDpowersupply

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G30N03D3

Marking：G30N03；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG30N03D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G30N03D3A

Marking：G30N03A；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG30N03D3Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G30N03D3-L

Marking：G30N03L；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG30N03D3-Lusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G30N04D3

Marking：G30N04；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG30N04D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

G30N120CN

75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

晶體管資料

  • 型號：

    G302

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

  • 性質：

    射頻/高頻放大 （HF）_靜噪放大 （LN）_寬頻帶放大

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.15A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    A-43

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.15

  • wtest：

    0.2

產品屬性

  • 產品編號：

    G30

  • 制造商：

    XP Power

  • 類別：

    電源 - 板安裝 > 直流轉換器

  • 系列：

    XP EMCO - G (1.5W)

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    高電壓 - 隔離模塊

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    0.7V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    12V

  • 電壓 - 輸出 1：

    3000V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    500μA

  • 應用：

    ITE（商業(yè)）

  • 特性：

    比例輸出

  • 工作溫度：

    -10°C ~ 60°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    4-DIP 模塊

  • 大小 / 尺寸：

    1.50" 長 x 1.50" 寬 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm

  • 描述：

    DC DC CONVERTER 3000V 1.5W

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更多G30供應商 更新時間2025-4-16 16:30:00

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