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G30T60

Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply ?TRENCHSTOP?andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistributio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

K30T60

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePower

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

RBR30T60ANZ

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多G30T60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-3 13:22:00

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