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Marking：G60N04；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG60N04Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G60N04；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG60N04KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G60N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG60N06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
N-Channel IGBT with FRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
Marking：G60N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG60N10Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G60N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG60N10KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Marking：G60N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG60N10Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD | ||
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
Heyco? Retaining Sealing Washers | HeycoHeyco. 海科 | Heyco | ||
TEMPERATURE | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
1.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
1.2
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
G60
- 制造商：
XP Power
- 類別：
電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器
- 系列：
XP EMCO - G (1.5W)
- 包裝：
管件
- 類型：
高電壓 - 隔離模塊
- 電壓 - 輸入（最小值）：
0.7V
- 電壓 - 輸入（最大值）：
12V
- 電壓 - 輸出 1：
6000V
- 電流 - 輸出（最大值）：
250μA
- 應(yīng)用：
ITE（商業(yè)）
- 特性：
比例輸出
- 工作溫度：
-10°C ~ 60°C
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
4-DIP 模塊
- 大小 / 尺寸：
1.50" 長 x 1.50" 寬 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm
- 描述：
DC DC CONVERTER 6000V 1.5W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP Power |
24+ |
N/A |
12000 |
一級代理保證進(jìn)口原裝正品假一罰十價格合理 |
詢價 | ||
XP |
24+ |
4-DIP |
910 |
專注XP品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子 |
詢價 | ||
G |
24+ |
TO |
500 |
詢價 | |||
仙童 |
06+ |
TO-3PL |
10000 |
全新原裝 絕對有貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO3PL |
7635 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
原廠 |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
BGA195245 |
5645 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
Fibocom |
17+ |
SMD |
9800 |
只做全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IDEA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
NA |
19+ |
72162 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 |
