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GA10JT12-263

Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GA10JT12-263

包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：TRANS SJT 1200V 25A

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

GA10JT12-263_15

OFF Silicon Carbide Junction Transistor

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GA10JT12-263

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 技術(shù)：

    SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    25A（Tc）

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    120 毫歐 @ 10A

  • 功率耗散（最大值）：

    170W（Tc）

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    TRANS SJT 1200V 25A

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多GA10JT12-263供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 10:18:00

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