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GAL16V8D-10LS	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice
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GAL16V8D-10LS	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features ?HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice
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GAL16V8D-10QJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features ?HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice
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