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GB1100019

包裝：卷帶（TR） 類別：晶體，振蕩器，諧振器 晶體 描述：CRYSTAL 11.0592MHZ 20PF

PAM

Diodes Incorporated

GB1100021

Package：HC-49/US；包裝：散裝 類別：晶體，振蕩器，諧振器 晶體 描述：CRYSTAL 11.0592MHZ 30PF TH

PAM

Diodes Incorporated

GBP110

SiliconBridgeRectifiers

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

GBP110

SILICONBRIDGERECTIFIERS

DSK

Diode Semiconductor Korea

GBPC110

GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER

ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ?ThisseriesisULlistedunderRecognizedComponentIndex, filenumberE54214 ?Glasspassivatedchipjunctions ?Highcasediele

GE

GE Industrial Company

GBPC110

3.0AGlassPassivatedBridgeRectifier

3.0AGlassPassivatedBridgeRectifier Features ?Glasspassivatedchipjunction ?Highcasedielectricstrength1500VRMS ?TypicalIRlessthan0.1μA ?Highsurgecurrentcapability ?Idealforprintedcircuitboards ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260?C/10seconds 0.375”(9.

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

GBPC110

GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier

FEATURES ?ULrecognition,filenumberE54214 ?Idealforprintedcircuitboards ?TypicalIRlessthan0.1μA ?Highcasedielectricstrength ?Highsurgecurrentcapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance ??please

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

GBPC110

GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER

FEATURES ●Plasticpackagehasunderwriterslaboratory ●Flammabilityclassification94V-0 ●Glasspassivatedshipjunction ●Highcasedielectricwithstandingvoltageof1500VRMS ●TyoicalIRlessthan0.1μA ●Highsurgecurrentcapability ●Idealforprintedcircuitboards ●Hightemper

MICMIC GROUP RECTIFIERS

昌福電子昌福電子有限公司

GBPC110

GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier

FEATURES ?ULrecognition,filenumberE54214 ?Idealforprintedcircuitboards ?TypicalIRlessthan0.1μA ?Highcasedielectricstrength ?Highsurgecurrentcapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

GFC110

NChannelPowerMOSFETwithlowRDS(on)

GSG

Gunter Seniconductor GmbH.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GB1100019

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    晶體，振蕩器，諧振器 > 晶體

  • 系列：

    SaRonix-eCera? GB

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    MHz 晶體

  • 頻率穩(wěn)定性：

    ±30ppm

  • 頻率容差：

    ±30ppm

  • 負載電容：

    20pF

  • 工作模式：

    基諧

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 70°C

  • 描述：

    CRYSTAL 11.0592MHZ 20PF

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更多GB110供應(yīng)商 更新時間2025-4-2 11:06:00

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