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GE12047CCA3

1200V half bridge Silicon Carbide Power module

Features ?HighlyreliableGESiCMOSFETdevices ?LowRDS(ON)(3.1m?)(deviceonly) ?Lowstrayinductance(6nH) ?SiCdiequalifiedto+200C ?Ultralowswitchinglossesoverentire operatingrange ?Bodydiodewithminimalreverse recovery ?Integratedtemperaturesensing ?DedicatedDES

GECGeneral Electric Company

美國通用電氣公司

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更多GE12047CCA3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-25 13:58:00

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