GES5816中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
GES5816 |
| 功能描述 | Silicon Transistors |
| 文件大小 |
156.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-6 17:00:00 |
| 人工找貨 | GES5816價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
GES5816三極管、GES5816晶體管、GES5816晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N/P
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_TR
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.75A
- 最大工作頻率：
>120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍數(shù)：
β>100
- 圖片代號(hào)：
A-20
- vtest：
50
- htest：
120000100
- atest：
0.75
- wtest：
0.5
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
GES5816
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GESS |
23+ |
NA |
39960 |
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