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GS1004FL

1.0AGeneralPurposeRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

GS1004FL

PLASTICSILICONRECTIFIER

FEATURES ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?GlassPassivatedChipJuntion ?Idealforautomatedplacement ?LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三陽(yáng)電子三陽(yáng)電子有限公司

GS1004FL

STANDARDRECTIFIER

Features ·Forsurfacemountedapplications ·Glasspassivatedjunction ·Lowprofilepackage ·Idealforautomatedplacement ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10 seconds,atterminals

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

GS1004FL

1.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSTANDARDDIODE

LowProfile1.08mmMax.CaseHeight GlassPassivatedDieConstruction LowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto30APeak IdeallySuitedforAutomaticAssembly PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

GS1004FL-AU

SURFACEGENERALPURPOSERECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

GS1004HE

SURFACEGENERALPURPOSERECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

HAF1004

SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAF1004L

SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAF1004S

SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAF1004S

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GP1004

  • 制造商：

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    管件

  • 二極管配置：

    1 對(duì)共陰極

  • 二極管類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    10A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體
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Taiwan Semiconductor
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原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢價(jià)
更多GP1004供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 16:35:00

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