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GP200MHS12中文資料Dynex數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

GP200MHS12
廠商型號(hào)

GP200MHS12

功能描述

Half Bridge IGBT Module

文件大小

99.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Dynex Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Dynex

中文名稱

Dynex Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 20:02:00

GP200MHS12規(guī)格書(shū)詳情

The Powerline range of high power modules includes half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.

The GP200MHS12 is a half bridge 1200V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES

■ Non Punch Through Silicon

■ Isolated Copper Baseplate

■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS

■ High Power Inverters

■ Motor Controllers

■ Induction Heating

■ Resonant Converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
BCD
19+
SOP8
110
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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