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ISCNH327P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

J327

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBTCurrentResonanceInverterSwitchingApplication

CurrentResonanceInverterSwitchingApplication ?Enhancementmodetype ?Highspeed:tf=0.19μs(typ.)(IC=50A) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.9V(typ.)(IC=50A) ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?FourthgenerationIGBT ?TO-3P(N)(Toshibapackagename)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

J327

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

J327

Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

○PowerManagementSwitchApplications ?1.5-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=242m?(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=170m?(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=125m?(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

J327

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GP327

  • 功能描述：

    瓷片電容器 1000V 270pF DISC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Cera-Mite

  • 電容：

    0.01 uF

  • 容差：

    20 %

  • 電壓額定值：

    3 kV

  • 工作溫度范圍：

    - 25 C to + 105 C 損耗因數(shù)

  • 端接類型：

    Radial

  • 產(chǎn)品：

    High Voltage Ceramic Disc Capacitors

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更多GP327供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 15:00:00

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