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IRF422

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF422

2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF422

N-ChannelPowerMOSFETs

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRFR422

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFU422

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IS422

OPTICALLYCOUPLEDBILATERALSWITCHLIGHTACTIVATEDZEROVOLTAGECROSSINGTRIAC

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

ISCNL422N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·DC/DCConverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISO422

DIFFERENTIALBUSTRANSCEIVER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

ISO422P

DIFFERENTIALBUSTRANSCEIVER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

ISO422P-U

DIFFERENTIALBUSTRANSCEIVER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    GP422

  • 功能描述：

    瓷片電容器 1000V 22pF DISC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Cera-Mite

  • 電容：

    0.01 uF

  • 容差：

    20 %

  • 電壓額定值：

    3 kV

  • 工作溫度范圍：

    - 25 C to + 105 C 損耗因數(shù)

  • 端接類型：

    Radial

  • 產(chǎn)品：

    High Voltage Ceramic Disc Capacitors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Mallory
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原廠原封
5000
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原廠原包
19960
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CORNELL DUBILIER
NDC
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IR
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更多GP422供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-2 16:32:00

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