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GS-065-004-1-L

650 V E-mode GaN transistor

Features ?650Venhancementmodepowertransistor ?850Vtransientdrain-to-sourcevoltage ?Bottom-cooled,small5x6mmPDFNpackage ?RDS(on)=450mΩ ?IDSmax,DC=4A/IDSmax,Pulse=7.1A ?Ultra-lowFOM ?Simplegatedriverequirements(0Vto6V) ?Transienttolerantgatedrive

GAN

GaN Systems

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GS-065-004-1-L供應(yīng)商 更新時間2025-5-5 15:01:00

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