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GT009N04TL

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheGT009N04TLusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

GT009N04TLA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheGT009N04TLAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

BSC009N04LSSC

OptiMOSTMPower-MOSFET,40V

Features ?Dual-sidecooledpackagewithlowestjunction-topthermalresistance ?Optimizedforsychronousrectification ?175°Crated ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?100avalanchetested ?Superiorthermalresistance ?N-channel,logiclevel ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?H

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多GT009N04TL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 11:06:00

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